Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, canale N, Q0BOOST

NXH100B120H3Q0 è un modulo di potenza contenente uno stadio dual boost costituito da due IGBT da 50A/1200 V, due diodi SiC da 20A/1200 V e due diodi in antiparallelo da 25 A/1600 V per gli IGBT. Sono inclusi due ulteriori raddrizzatori di bypass da 25 A/1600 V utilizzati per la limitazione della corrente di spunto. È incluso un termistore a bordo scheda.

Specifiche IGBT: VCE(SAT) = 1,77 V, ESW = 2180 uJ
IGBT veloci con valore VCE(SAT) basso per un'elevata efficienza
Diodi di bypass e in antiparallelo da 25 A / 1600 V
Diodi di bypass a bassa VF per un'eccellente efficienza in modalità di bypass
Specifiche del raddrizzatore SiC: VF = 1,44 V
Diodo SiC per commutazione ad alta velocità
Sono disponibili opzioni con pin a saldare e pin a pressione
Montaggio flessibile
Applications
Stadio boost MPPT
Fase Di Sovralimentazione Del Caricabatteria