IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247 LL, 3 Pin Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
201-4418P
Codice costruttore:
STGWA30HP65FB2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

50A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Tipo di package

TO-247 LL

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

1MHz

Tensione emettitore gate massima VGEO

±30 V

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

15.9mm

Altezza

5.1mm

Serie

STG

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

21.1mm

Standard automobilistico

No

L'arresto di campo Trench-gate di STMicroelectronics, 650 V, 30 A, IGBT serie HB2 ad alta velocità in un contenitore a conduttori lunghi TO-247, ha un coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo.

Corrente di coda ridotta al minimo

Distribuzione dei parametri rigida

Bassa resistenza termica

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