IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 30 A, canale N, TO-247

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
202-5515P
Codice costruttore:
STGWA30HP65FB
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continuativa collettore

30 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

260 W

Numero di transistor

1

Tipo di package

TO-247

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Configurazione transistor

Emettitore comune

La serie HB STMicroelectronics di IGBT ad alta velocità è sviluppata utilizzando un Advanced trench gate proprietario struttura di fieldstop. Il dispositivo fa parte della nuova serie HB di IGBT, che rappresenta un compromesso ottimale tra perdita di conduzione e commutazione per ottimizzare l'efficienza di qualsiasi convertitore di frequenza.

Bassa resistenza termica
Diodo antiparallelo a recupero morbido molto rapido