IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 30 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 202-5515P
- Codice costruttore:
- STGWA30HP65FB
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 50 unità (fornito in tubo)*
138,60 €
(IVA esclusa)
169,10 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 10 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 120 | 2,772 € |
| 125 + | 2,63 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 202-5515P
- Codice costruttore:
- STGWA30HP65FB
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 30A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 260W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di commutazione | 1MHz | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 5.1mm | |
| Lunghezza | 15.9mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Serie | STG | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 30A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 260W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di commutazione 1MHz | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 5.1mm | ||
Lunghezza 15.9mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Serie STG | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie HB STMicroelectronics di IGBT ad alta velocità è sviluppata utilizzando un Advanced trench gate proprietario struttura di fieldstop. Il dispositivo fa parte della nuova serie HB di IGBT, che rappresenta un compromesso ottimale tra perdita di conduzione e commutazione per ottimizzare l'efficienza di qualsiasi convertitore di frequenza.
Bassa resistenza termica
Diodo antiparallelo a recupero morbido molto rapido