IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 30 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 10 unità (fornito in tubo)*

25,56 €

(IVA esclusa)

31,18 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili - Si prega di controllare più tardi

Unità
Per unità
10 +2,556 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
202-5515P
Codice costruttore:
STGWA30HP65FB
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

30A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

260W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Velocità di commutazione

1MHz

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

15.9mm

Serie

STG

Altezza

5.1mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

La serie HB STMicroelectronics di IGBT ad alta velocità è sviluppata utilizzando un Advanced trench gate proprietario struttura di fieldstop. Il dispositivo fa parte della nuova serie HB di IGBT, che rappresenta un compromesso ottimale tra perdita di conduzione e commutazione per ottimizzare l'efficienza di qualsiasi convertitore di frequenza.

Bassa resistenza termica

Diodo antiparallelo a recupero morbido molto rapido