IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 40 A, canale N, TO-247
- Codice RS:
- 202-5519P
- Codice costruttore:
- STGWA40IH65DF
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- Codice RS:
- 202-5519P
- Codice costruttore:
- STGWA40IH65DF
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Corrente massima continuativa collettore | 40 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Numero di transistor | 1 | |
| Dissipazione di potenza massima | 238 W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Configurazione transistor | Emettitore comune | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Corrente massima continuativa collettore 40 A | ||
Tensione massima collettore emitter 650 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Numero di transistor 1 | ||
Dissipazione di potenza massima 238 W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Configurazione transistor Emettitore comune | ||
L'IGBT serie IH a commutazione graduale STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando una Advanced proprietaria Trench gate struttura di arresto di campo, le cui prestazioni sono ottimizzate sia in perdite di conduzione che di commutazione per commutazione dolce.
Diodo co-assemblato a libera circolazione con bassa caduta di tensione
Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo
Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo