IGBT a trincea con arresto di campo onsemi, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 202-5669P
- Codice costruttore:
- AFGHL40T65SQ
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 202-5669P
- Codice costruttore:
- AFGHL40T65SQ
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | IGBT a trincea con arresto di campo | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 80A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.6V | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±3 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Serie | Trench | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto IGBT a trincea con arresto di campo | ||
Corrente massima continua collettore Ic 80A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.6V | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±3 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Serie Trench | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
L'on Semiconductor Field Stop Trench IGBT offre le prestazioni ottimali per la topologia di commutazione sia hard che soft in applicazioni automobilistiche. Si tratta di un IGBT autonomo.
Qualifica AEC-Q101
Capacità di corrente elevata
Commutazione rapida
Distribuzione dei parametri rigida
Conformità RoHS