IGBT onsemi FGHL50T65SQDT, VCE 650 V, IC 100 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
202-5677P
Codice costruttore:
FGHL50T65SQDT
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Corrente massima continua collettore Ic

100A

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

134W

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

3

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.47V

Tensione emettitore gate massima VGEO

±3 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Serie

FGHL50T65SQDT

Standard/Approvazioni

This Device is Pb-Free and is RoHS

Standard automobilistico

No

Gli IGBT on Semiconductor offrono le prestazioni ottimali per inverter solare, UPS, saldatore, telecomunicazioni, ESS e PFC, in cui sono essenziali basse perdite di conduzione e commutazione.

Temperatura di giunzione massima 175 °C.

Capacità di corrente elevata

Elevata impedenza di ingresso

Commutazione rapida

Serrare la distribuzione dei parametri

Senza piombo ed è conforme alla direttiva RoHS

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