IGBT STMicroelectronics STGP20H65DFB2, VCE 650 V, IC 40 A, TO-220, 3 Pin
- Codice RS:
- 204-9876P
- Codice costruttore:
- STGP20H65DFB2
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 204-9876P
- Codice costruttore:
- STGP20H65DFB2
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore (Vceo) | 650 V | |
| Corrente massima continua collettore (Ic) | 40 A | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Numero pin | 3 | |
| Tensione emettitore gate massima (VGEO) | 20 V | |
| Numero transistor | 1 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore (Vceo) 650 V | ||
Corrente massima continua collettore (Ic) 40 A | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Numero pin 3 | ||
Tensione emettitore gate massima (VGEO) 20 V | ||
Numero transistor 1 | ||
- Paese di origine:
- CN
The STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the Advanced proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behaviour at low current values, as well as in terms of reduced switching energy.
Maximum junction temperature : TJ = 175 °C
Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 20 A
Very fast and soft recovery co-packaged diode
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance