IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 115 A, TO-247

Field-stop STMicroelectronics Trench gate, serie HB2 IGBT da 650 V, 75 A ad alta velocità in un contenitore a cavi lunghi TO-247.

Temperatura massima di giunzione: TJ = 175 °C.
Bassa VCE (sat) = 1,55 V (tip.) @ IC = 75 A.
Diodo co-confezionato a recupero rapido e morbido
Corrente di coda ridotta al minimo
Distribuzione dei parametri rigida
Bassa resistenza termica
Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo