IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 60 A, canale Tipo N, TO-247, 4 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 206-8630P
- Codice costruttore:
- STGWA30IH65DF
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- Codice RS:
- 206-8630P
- Codice costruttore:
- STGWA30IH65DF
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 60A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 108W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 4 | |
| Velocità di commutazione | 1MHz | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.05V | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 15.9mm | |
| Altezza | 5.1mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Serie | STG | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 60A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 108W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 4 | ||
Velocità di commutazione 1MHz | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.05V | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 15.9mm | ||
Altezza 5.1mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Serie STG | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie IGBT 650 V HB2 di STMicroelectronics rappresenta un'evoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di conduzione, grazie a un migliore comportamento VCE(sat) a bassi valori di corrente, nonché in termini di energia di commutazione ridotta.
Progettato solo per la commutazione morbida
Temperatura massima di giunzione: TJ = 175 °C.
VCE(sat) = 1,55 V (tip.) @ IC = 30 A.
Corrente di coda ridotta al minimo
Distribuzione dei parametri rigida
Bassa resistenza termica
Diodo co-assemblato a libera circolazione con bassa caduta di tensione
Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo