Modulo IGBT Mitsubishi Electric, VCE 1200 V, IC 200, canale N, Modulo
- Codice RS:
- 207-4961
- Codice costruttore:
- CM200DY-24T #300G
- Costruttore:
- Mitsubishi Electric
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 207-4961
- Codice costruttore:
- CM200DY-24T #300G
- Costruttore:
- Mitsubishi Electric
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Mitsubishi Electric | |
| Corrente massima continuativa collettore | 200 | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | 20V | |
| Numero di transistor | 2 | |
| Tipo di package | Modulo | |
| Configurazione | Dual | |
| Tipo di montaggio | Montaggio su circuito stampato | |
| Tipo di canale | N | |
| Configurazione transistor | Dual Half Bridge (DHB) | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Mitsubishi Electric | ||
Corrente massima continuativa collettore 200 | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter 20V | ||
Numero di transistor 2 | ||
Tipo di package Modulo | ||
Configurazione Dual | ||
Tipo di montaggio Montaggio su circuito stampato | ||
Tipo di canale N | ||
Configurazione transistor Dual Half Bridge (DHB) | ||
Il modulo IGBT doppio Mitsubishi Electric 1200V è dotato di base piatta e sei driver per modulo. È dotato di 200A di corrente di collettore continua ed è adatto per applicazioni di commutazione hard e soft switching come inverter, controllo di motori e azionamenti industriali.
Terminal pin stagnato
Piastra di base in rame usata
Temperatura di giunzione massima 175 °C.
Piastra di base in rame usata
Temperatura di giunzione massima 175 °C.
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