IGBT onsemi, VCE 650 V, IC 120 A, canale N, TO-247
- Codice RS:
- 214-8789P
- Codice costruttore:
- AFGY120T65SPD
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 5 - 9 | 8,80 € |
| 10 - 14 | 7,29 € |
| 15 - 19 | 6,84 € |
| 20 + | 6,45 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-8789P
- Codice costruttore:
- AFGY120T65SPD
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Corrente massima continuativa collettore | 120 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 714 W | |
| Numero di transistor | 1 | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Corrente massima continuativa collettore 120 A | ||
Tensione massima collettore emitter 650 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Dissipazione di potenza massima 714 W | ||
Numero di transistor 1 | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
on Semiconductor serie AFGY è un IGBT con diodo a recupero rapido morbido che offre perdite di conduzione e commutazione molto basse per un funzionamento ad elevata efficienza in varie applicazioni, elevata affidabilità dei transienti e EMI ridotte.
Distribuzione dei parametri rigida
Elevata impedenza di ingresso
Resistenza ai cortocircuiti
Co−dotato di diodo a recupero rapido morbido
Elevata impedenza di ingresso
Resistenza ai cortocircuiti
Co−dotato di diodo a recupero rapido morbido