IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 74 A, canale Tipo N, TO-220, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 215-6631
- Codice costruttore:
- IGP40N65H5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,767 € | 88,35 € |
| 100 - 200 | 1,591 € | 79,55 € |
| 250 + | 1,502 € | 75,10 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-6631
- Codice costruttore:
- IGP40N65H5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 74A | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 250W | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±30 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.65V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Serie | TrenchStop | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 4.57mm | |
| Larghezza | 10.36 mm | |
| Lunghezza | 29.95mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continua collettore Ic 74A | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 250W | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±30 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.65V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Serie TrenchStop | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 4.57mm | ||
Larghezza 10.36 mm | ||
Lunghezza 29.95mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Transistor bipolare a gate isolato di quinta generazione serie di interruttori ad alta velocità Infineon con bassa carica di gate.
Elevata efficienza
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica