IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 80 A, PG-TO247-3
- Codice RS:
- 215-6641P
- Codice costruttore:
- IHW40N120R5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 20 - 48 | 3,22 € |
| 50 - 98 | 3,005 € |
| 100 - 198 | 2,795 € |
| 200 + | 2,57 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-6641P
- Codice costruttore:
- IHW40N120R5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 80 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20 V, ±25 V | |
| Dissipazione di potenza massima | 394 W | |
| Tipo di package | PG-TO247-3 | |
| Numero pin | 3 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 80 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20 V, ±25 V | ||
Dissipazione di potenza massima 394 W | ||
Tipo di package PG-TO247-3 | ||
Numero pin 3 | ||
Transistor bipolare a gate isolato Infineon con un potente diodo monolitico con bassa tensione diretta progettato per la commutazione graduale.
Elevata efficienza
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica
Basse perdite di commutazione
Maggiore affidabilità
Bassa interferenza elettromagnetica