IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 62 A, canale N, PG-TO220

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Codice RS:
226-6104
Codice costruttore:
IKP39N65ES5XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continuativa collettore

62 A

Tensione massima collettore emitter

650 V

Tensione massima gate emitter

30V

Dissipazione di potenza massima

188 W

Numero di transistor

1

Configurazione

Single

Tipo di package

PG-TO220

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

Infineon IKP39N65ES5 ha la massima densità di potenza con ingombro TO-220 e non richiede componenti per il bloccaggio del gate. In questa caratteristica di caduta di corrente dolce senza corrente di coda ed è eccellente per il collegamento in parallelo.

VCEsat molto bassa di 1,45 V a 25°C.
Corrente di impulso IC 4 volte (100 °C Tc)
Temperatura massima di giunzione Tvj 175°C.

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