IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 74 A, canale N, PG-TO220
- Codice RS:
- 226-6106
- Codice costruttore:
- IKP40N65F5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 2,237 € | 111,85 € |
| 100 - 200 | 2,013 € | 100,65 € |
| 250 + | 1,902 € | 95,10 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 226-6106
- Codice costruttore:
- IKP40N65F5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 74 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V | |
| Tensione massima gate emitter | 30V | |
| Dissipazione di potenza massima | 255 W | |
| Numero di transistor | 1 | |
| Tipo di package | PG-TO220 | |
| Configurazione | Single | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 74 A | ||
Tensione massima collettore emitter 650 V | ||
Tensione massima gate emitter 30V | ||
Dissipazione di potenza massima 255 W | ||
Numero di transistor 1 | ||
Tipo di package PG-TO220 | ||
Configurazione Single | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Infineon IKP40N65F5 è un IGBT ad alta velocità a commutazione elevata da 650 V che utilizza co-impaccato con tecnologia Rapid si-diode. Ha un design a maggiore densità di potenza e ha un basso COES/EOSS.
Fattore 2,5 Qg inferiore
Fattore 2 riduzione delle perdite di commutazione
200mV riduzione di VCEsat
Fattore 2 riduzione delle perdite di commutazione
200mV riduzione di VCEsat
