Modulo Smart Power onsemi, VCE 600 V, canale N, DIP

Lo stadio di potenza inverter on Semiconductor completamente integrato è costituito da un driver ad alta tensione, sei IGBT e un termistore, adatto per l'azionamento di motori sincroni a magnete permanente, motori brushless-c.c. e motori asincroni c.a. Gli IGBT sono configurati in un ponte trifase con collegamenti emettitore separati per i piedini inferiori per la massima flessibilità nella scelta dell'algoritmo di controllo.

Buona dissipazione del calore con DBC
Ottimizza le perdite ed EMI con un'elevata densità di potenza
Multifunzione integrato per un design compatto
Misurazione più accurata della temperatura del modulo tramite NTC integrato
Diodi e resistenze bootstrap integrati