IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 40 A, canale N, TO-247-3
- Codice RS:
- 232-6729
- Codice costruttore:
- IKW40N120CS7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 5,783 € | 173,49 € |
| 60 - 120 | 5,494 € | 164,82 € |
| 150 + | 5,262 € | 157,86 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 232-6729
- Codice costruttore:
- IKW40N120CS7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 40 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Numero di transistor | 1 | |
| Dissipazione di potenza massima | 357 W | |
| Tipo di package | TO-247-3 | |
| Configurazione | Single | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 40 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Numero di transistor 1 | ||
Dissipazione di potenza massima 357 W | ||
Tipo di package TO-247-3 | ||
Configurazione Single | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Il discreto IGBT7 S7 TRENCHSTOP da 40 A di Infineon viene fornito in un contenitore TO-247 con diodo EC7 all'interno. Offre una bassa VCEsat per ottenere perdite di conduzione molto basse in applicazioni target e il diodo emettitore controllato, molto morbido e rapido, coimpaccato, contribuisce a ridurre le perdite di commutazione contribuendo a perdite totali basse. Le applicazioni potenziali includono azionamenti industriali, alimentatori industriali e inverter solari.
Buona controllabilità
Diodo di ricircolo a pieno valore nominale con morbidezza migliorata
Maggiore densità di potenza senza riprogettazione del dissipatore di calore
Facilità di progettazione per soddisfare i requisiti EMI
Diodo di ricircolo a pieno valore nominale con morbidezza migliorata
Maggiore densità di potenza senza riprogettazione del dissipatore di calore
Facilità di progettazione per soddisfare i requisiti EMI