IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 30 A, canale N, TO-247-3-HCC
- Codice RS:
- 232-6737
- Codice costruttore:
- IKWH30N65WR6XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 2,234 € | 67,02 € |
| 60 - 120 | 2,123 € | 63,69 € |
| 150 - 270 | 2,033 € | 60,99 € |
| 300 - 570 | 1,944 € | 58,32 € |
| 600 + | 1,854 € | 55,62 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 232-6737
- Codice costruttore:
- IKWH30N65WR6XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 30 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 650 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Numero di transistor | 1 | |
| Dissipazione di potenza massima | 83 W | |
| Tipo di package | TO-247-3-HCC | |
| Configurazione | Single | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 30 A | ||
Tensione massima collettore emitter 650 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Numero di transistor 1 | ||
Dissipazione di potenza massima 83 W | ||
Tipo di package TO-247-3-HCC | ||
Configurazione Single | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
L'IGBT TRENCHSTOP 5 WR6 a a conduzione inversa di Infineon viene fornito in un'elevata velocità di scorrimento e in un contenitore to-247-3-HCC libero. È specificamente ottimizzato per PFC per applicazioni RAC / CAC e inverter di saldatura. L'eccellente rapporto prezzo/prestazioni dell'IGBT WR6 consente l'accesso alla tecnologia ad alte prestazioni anche per i clienti attenti ai costi. WR6 offre il più basso VCEsat, e ESW che consente la frequenza di commutazione fino a 75 kHz. Gli IGBT WR6 consentono inoltre un design più affidabile con maggiori distanze e distanze di scorrimento.
Diodo integrato monoliticamente
Perdite di commutazione minime
Maggiore affidabilità contro la contaminazione del contenitore
Perdite di commutazione minime
Maggiore affidabilità contro la contaminazione del contenitore