IGBT STMicroelectronics STGYA75H120DF2, VCE 1.2 kV, IC 150 A, canale N, Max247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 234-8894P
- Codice costruttore:
- STGYA75H120DF2
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 234-8894P
- Codice costruttore:
- STGYA75H120DF2
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 150A | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1.2kV | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 750W | |
| Tipo di package | Max247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di commutazione | 1MHz | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.6V | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Corrente massima continua collettore Ic 150A | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1.2kV | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 750W | ||
Tipo di package Max247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di commutazione 1MHz | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.6V | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
L'IGBT STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando un'avanzata struttura brevettata con arresto di campo per gate trench. Questo dispositivo fa parte della serie H di IGBT, che rappresentano un compromesso ottimale tra la conduzione e le perdite di commutazione per massimizzare l'efficienza dei convertitori ad alta frequenza di commutazione. Inoltre, un coefficiente di temperatura leggermente positivo VCE(sat) e una distribuzione dei parametri molto stretta si traducono in un funzionamento in parallelo più sicuro.
Temperatura di giunzione massima TJ = 175 C°5}
μs di tempo di resistenza ai cortocircuti
VCE(sat) = 2,1 V a IC= 75 Una
Distribuzione stretta parametri
Coefficiente di temperatura VCE(sat)positivo
Resistenza termica bassa
Diodo antiparallelo a recupero molto rapido