IGBT onsemi, VCE 650 V, TO-247-3L, 3 Pin Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
241-0736P
Codice costruttore:
FGHL75T65LQDT
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

650V

Dissipazione di potenza massima Pd

469W

Tipo di package

TO-247-3L

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.82mm

Larghezza

20.82mm

Lunghezza

15.87mm

Serie

FGHL75T65LQDT

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

IGBT Semiconduttore ON a bassa Vce(sat) FS4 da 650 V, 75 A. Ciò offre prestazioni ottimali bilanciando le perdite Vce (sat) ed Eoff e il sovraccarico Vce con controllo effciciente. Ideale per inverter solare, UPS, stazioni di ricarica EV, ESS e altre applicazioni di conversione di potenza ad alte prestazioni.

Coefficiente di temperatura positivo

Funzionamento in parallelo facile

Perdite di conduzione basse

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