IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 4 A, TO-251
- Codice RS:
- 244-0896
- Codice costruttore:
- IGU04N60TAKMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 bobina da 1500 unità*
769,50 €
(IVA esclusa)
939,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- 1500 unità in spedizione dal 23 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1500 - 1500 | 0,513 € | 769,50 € |
| 3000 + | 0,487 € | 730,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 244-0896
- Codice costruttore:
- IGU04N60TAKMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 4 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 600 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20.0V | |
| Dissipazione di potenza massima | 42 W | |
| Tipo di package | TO-251 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 4 A | ||
Tensione massima collettore emitter 600 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20.0V | ||
Dissipazione di potenza massima 42 W | ||
Tipo di package TO-251 | ||
IGBT Infineon, corrente massima continua di collettore 4A, tensione massima di emettitore di collettore 600V - IGU04N60TAKMA1
Questo IGBT è un transistor ad alta efficienza progettato per l'uso in applicazioni complesse. Con una tensione massima collettore-emettitore di 600 V e una corrente continua di collettore di 4 A, questo modulo IGBT TO-251 eccelle in termini di prestazioni. Le dimensioni compatte di 6,6 x 6,1 x 0,09 mm lo rendono adatto a una varietà di configurazioni, pur operando efficacemente in un intervallo di temperatura compreso tra -40°C e +175°C.
Caratteristiche e vantaggi
• La tensione di saturazione molto bassa aumenta l'efficienza energetica
• Il tempo di resistenza ai cortocircuiti di 5μs aumenta l'affidabilità
• L'elevata velocità di commutazione ottimizza le prestazioni del sistema
• La bassa carica del gate riduce i requisiti di potenza del driver
• L'eccellente stabilità termica garantisce un funzionamento costante
• La stretta distribuzione dei parametri aumenta la flessibilità di progettazione
• Il tempo di resistenza ai cortocircuiti di 5μs aumenta l'affidabilità
• L'elevata velocità di commutazione ottimizza le prestazioni del sistema
• La bassa carica del gate riduce i requisiti di potenza del driver
• L'eccellente stabilità termica garantisce un funzionamento costante
• La stretta distribuzione dei parametri aumenta la flessibilità di progettazione
Applicazioni
• Utilizzato negli inverter di frequenza per una conversione efficiente dell'energia
• Ideale per gli azionamenti di motori elettrici in ambito industriale
• Efficace per l'alimentazione in caso di spazio limitato
• Adatto ai sistemi di energia rinnovabile che richiedono un'elevata efficienza
• Progettato per varie automazioni che richiedono affidabilità
• Ideale per gli azionamenti di motori elettrici in ambito industriale
• Efficace per l'alimentazione in caso di spazio limitato
• Adatto ai sistemi di energia rinnovabile che richiedono un'elevata efficienza
• Progettato per varie automazioni che richiedono affidabilità
Quali sono le principali caratteristiche elettriche di questo IGBT?
Questo dispositivo è caratterizzato da una tensione massima collettore-emettitore di 600 V e da una corrente continua di collettore di 4 A, che lo rendono adatto ad applicazioni ad alta potenza. La potenza massima dissipata è pari a 42 W, consentendo di gestire efficacemente carichi elevati.
Qual è l'impatto dell'intervallo di tensione del gate-emitter sull'utilizzabilità?
L'intervallo di tensione gate-emitter di ±20V offre flessibilità nelle configurazioni di pilotaggio, consentendo l'integrazione con una varietà di circuiti di controllo e mantenendo un funzionamento stabile in diverse condizioni.
Quali sono i vantaggi delle specifiche di resistenza termica?
Con una resistenza termica di 3,5 K/W tra giunzione e involucro, questo IGBT garantisce un'efficiente gestione del calore, consentendo un funzionamento prolungato ad alte temperature senza degrado delle prestazioni, essenziale per le applicazioni ad alta potenza.
Cosa rende questo IGBT adatto agli ambienti difficili?
Il dispositivo funziona tra -40°C e +175°C, garantendo l'affidabilità a temperature estreme, un aspetto cruciale per le applicazioni industriali esposte a condizioni ambientali variabili.
