IC a singolo transistor IGBT Infineon IHW20N120R5XKSA1, VCE 1.2 kV, IC 20 A, PG-TO-247, 3 Pin
- Codice RS:
- 244-2914P
- Codice costruttore:
- IHW20N120R5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Ottieni uno sconto acquistando quantità maggiori
Aggiungi 40 in più per risparmiare 3,20 €
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 10 unità (fornito in tubo)*
22,80 €
(IVA esclusa)
27,80 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 4 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
- Più 240 unità in spedizione dal 14 gennaio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Risparmio |
|---|---|---|
| 10 - 38 | 2,28 € | - |
| 40 - 78 | 2,20 € | 3,20 € |
| 80 - 118 | 2,105 € | 14,00 € |
| 120 + | 2,01 € | 32,40 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 244-2914P
- Codice costruttore:
- IHW20N120R5XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | IC a singolo transistor IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 20A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1.2kV | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 288W | |
| Tipo di package | PG-TO-247 | |
| Numero pin | 3 | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 % | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.55V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 5.21mm | |
| Serie | Resonant Switching | |
| Larghezza | 16.13mm | |
| Standard/Approvazioni | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Lunghezza | 42mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto IC a singolo transistor IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 20A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1.2kV | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 288W | ||
Tipo di package PG-TO-247 | ||
Numero pin 3 | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 % | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.55V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 5.21mm | ||
Serie Resonant Switching | ||
Larghezza 16.13mm | ||
Standard/Approvazioni IEC61249-2-21, RoHS | ||
Lunghezza 42mm | ||
Standard automobilistico No | ||
IC a transistor singolo IGBT con commutazione risonante Infineon, tensione massima del collettore-emettitore di 1200 V, corrente massima continua del collettore di 20 A - IHW20N120R5XKSA1
Questo IC a transistor singolo IGBT è un dispositivo di commutazione ad alta tensione progettato per la conversione di potenza e il controllo in sistemi elettrici impegnativi. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è progettato per applicazioni che richiedono una gestione di tensione elevata e una notevole capacità di corrente continua. Il componente è fornito in una confezione PG-TO-247 ed è conforme alle norme specifiche sui materiali e sulle sostanze pericolose.
Caratteristiche e vantaggi:
• La resistenza collettore-emettitore di 1200 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di collettore continua di 20 A supporta un'erogazione di potenza sostenuta
• 1,55 V Vce(sat) riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento in stato attivo
• La dissipazione di potenza massima di 288 W consente un margine termico per carichi pesanti
• Il valore nominale gate-emitter di ±20 V consente ampiezze gate-drive standard
• Funziona da -40 °C a 175 °C per una maggiore resilienza termica
• La corrente di collettore continua di 20 A supporta un'erogazione di potenza sostenuta
• 1,55 V Vce(sat) riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento in stato attivo
• La dissipazione di potenza massima di 288 W consente un margine termico per carichi pesanti
• Il valore nominale gate-emitter di ±20 V consente ampiezze gate-drive standard
• Funziona da -40 °C a 175 °C per una maggiore resilienza termica
Applicazioni
• Adatto per topologie di commutazione risonante nei convertitori di potenza
• Utilizzato per ruoli di transistor IGBT da 1200 V 20 A in inverter industriali
• Ideale per moduli IGBT da 288 W ad alta potenza negli azionamenti dei motori
• Può essere utilizzato per la sostituzione dei moduli IGBT PG-TO-247 negli assemblaggi
• Adatto per ambienti IGBT ad alta temperatura da -40 a 175 °C
• Utilizzato per ruoli di transistor IGBT da 1200 V 20 A in inverter industriali
• Ideale per moduli IGBT da 288 W ad alta potenza negli azionamenti dei motori
• Può essere utilizzato per la sostituzione dei moduli IGBT PG-TO-247 negli assemblaggi
• Adatto per ambienti IGBT ad alta temperatura da -40 a 175 °C
Quale confezione è fornita per un facile montaggio su scheda o dissipatore?
È fornito in un contenitore PG-TO-247 adatto per il montaggio a foro passante standard e dissipatore convenzionale.
Quali sono gli standard sui materiali e sulle sostanze pericolose che soddisfa?
Il dispositivo è conforme alla direttiva RoHS e soddisfa le specifiche dei materiali IEC 61249-2-21.
Quale limite elettrico definisce la sicurezza del gate drive?
La tensione gate-emettitore è limitata a ±20 V per evitare lo stress da ossido gate.
In che modo i progettisti devono valutare la capacità termica per un funzionamento prolungato?
Utilizzare la dissipazione di potenza nominale massima di 288 W per dissipatori di calore e raffreddamento per carichi continui.
Quali temperature estreme può tollerare il dispositivo durante il funzionamento?
Funziona da un minimo di -40 °C a un massimo di 175 °C per le applicazioni a temperatura elevata.