IGBT STMicroelectronics, VCE 1200 V, 3 Pin
- Codice RS:
- 244-3195P
- Codice costruttore:
- STGYA50H120DF2
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 244-3195P
- Codice costruttore:
- STGYA50H120DF2
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1200V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 535W | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di commutazione | 5μs | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.1V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Serie | H | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1200V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 535W | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di commutazione 5μs | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.1V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Serie H | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
L'IGBT STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando una Advanced proprietaria Trench gate Field Stop Structure. Questo dispositivo fa parte della serie H di IGBT, che rappresentano un compromesso ottimale tra perdite di conduzione e commutazione per ottimizzare l'efficienza dei convertitori ad alta frequenza di commutazione. Inoltre, un coefficiente di temperatura VCE(sat) leggermente positivo e una distribuzione dei parametri molto stretta determinano un funzionamento in parallelo più sicuro.
Temperatura massima di giunzione TJ = 175 °C.
5 μs di tempo di resistenza ai cortocircuiti
Bassa VCE (sat) = 2,1 V (tip.) @ IC = 50 A.
Distribuzione dei parametri rigida
Coefficiente di temperatura VCE(sat) positivo
Bassa resistenza termica
Diodo antiparallelo a recupero molto rapido