Modulo IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 200 A, EconoPACK
- Codice RS:
- 244-5863
- Codice costruttore:
- FS200R06KE3BOSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Vassoio* |
|---|---|---|
| 10 + | 122,501 € | 1.225,01 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 244-5863
- Codice costruttore:
- FS200R06KE3BOSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 200 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 600 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 600 W | |
| Numero di transistor | 6 | |
| Tipo di package | EconoPACK | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 200 A | ||
Tensione massima collettore emitter 600 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Dissipazione di potenza massima 600 W | ||
Numero di transistor 6 | ||
Tipo di package EconoPACK | ||
La tensione nominale massima dell'emettitore del collettore del modulo IGBT Infineon è di 600 V e la dissipazione di potenza totale è di 600 W, la tensione di soglia massima del gate è di 6,5 V.
Isolamento interno isolamento di base (classe 1, IEC 61140)
Tensione di picco emettitore-gate +/- 20 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore 1,90 V
Corrente di dispersione emettitore-gate 400 nA
Tensione di picco emettitore-gate +/- 20 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore 1,90 V
Corrente di dispersione emettitore-gate 400 nA
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