Modulo IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 200 A, EconoPACK
- Codice RS:
- 244-5863
- Codice costruttore:
- FS200R06KE3BOSA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 vassoio da 10 unità*
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Unità | Per unità | Per Vassoio* |
|---|---|---|
| 10 + | 94,092 € | 940,92 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 244-5863
- Codice costruttore:
- FS200R06KE3BOSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Modulo IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 200A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 600V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 600W | |
| Numero transistor | 6 | |
| Tipo di package | EconoPACK | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.9V | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Serie | FS200R06KE3 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Modulo IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 200A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 600V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 600W | ||
Numero transistor 6 | ||
Tipo di package EconoPACK | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.9V | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Serie FS200R06KE3 | ||
Standard automobilistico No | ||
La tensione nominale massima dell'emettitore del collettore del modulo IGBT Infineon è di 600 V e la dissipazione di potenza totale è di 600 W, la tensione di soglia massima del gate è di 6,5 V.
Isolamento interno isolamento di base (classe 1, IEC 61140)
Tensione di picco emettitore-gate +/- 20 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore 1,90 V
Corrente di dispersione emettitore-gate 400 nA
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