Modulo IGBT onsemi, VCE 1 kV, Q2BOOST-PIM53 Superficie
- Codice RS:
- 245-6971P
- Codice costruttore:
- NXH300B100H4Q2F2SG
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 245-6971P
- Codice costruttore:
- NXH300B100H4Q2F2SG
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Modulo IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1kV | |
| Numero transistor | 6 | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 79W | |
| Tipo di package | Q2BOOST-PIM53 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 17.6mm | |
| Lunghezza | 93.1mm | |
| Serie | NXH300B100H4Q2F2SG | |
| Larghezza | 47.3mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Modulo IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1kV | ||
Numero transistor 6 | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 79W | ||
Tipo di package Q2BOOST-PIM53 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 17.6mm | ||
Lunghezza 93.1mm | ||
Serie NXH300B100H4Q2F2SG | ||
Larghezza 47.3mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il modulo Q2BOOST on Semiconductor è un modulo di potenza integrato ad alta densità da−che combina IGBT ad alte prestazioni con diodo SiC da 1200 V.
Trench estremamente efficiente con tecnologia field stop
La bassa perdita di commutazione riduce la dissipazione di potenza del sistema
Il design del modulo offre un'elevata densità di potenza
Basso layout induttivo
3 canali in contenitore Q2BOOST
Si tratta di dispositivi senza piombo