Modulo transistor IGBT Semikron Danfoss, VCE 1200 V, IC 75 A
- Codice RS:
- 248-6711P
- Codice costruttore:
- SKM75GB12F4
- Costruttore:
- Semikron Danfoss
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- Codice RS:
- 248-6711P
- Codice costruttore:
- SKM75GB12F4
- Costruttore:
- Semikron Danfoss
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Semikron Danfoss | |
| Corrente massima continuativa collettore | 75 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±15.0V | |
| Numero di transistor | 2 | |
| Configurazione | Half Bridge | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Semikron Danfoss | ||
Corrente massima continuativa collettore 75 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter ±15.0V | ||
Numero di transistor 2 | ||
Configurazione Half Bridge | ||
Il modulo IGBT Semikron serie SEMITRANS è dotato di un collettore a 1200 V per la tensione di emissione. È utilizzato principalmente in UPS, saldatrici elettroniche, riscaldamento induttivo, alimentatori switched mode.
Maggiore capacità di ciclo di potenza
con piastra di base in rame isolato che utilizza la tecnologia DBC (Direct Bonded Copper)
per frequenze di commutazione superiori a 15 kHz
con piastra di base in rame isolato che utilizza la tecnologia DBC (Direct Bonded Copper)
per frequenze di commutazione superiori a 15 kHz