Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 75 A, PG-TO247-3

L'IGBT Infineon TRENCHSTOP 5S5 è dotato di un diodo a barriera Schottky SiCTMS di 6 generazione. Perdite di commutazione estremamente ridotte grazie alla combinazione delle tecnologie TRENCHSTOPTM5 e CoolSiCTM. Efficienza di riferimento nelle topologie di commutazione rigide. Sostituzione plug-and-play dei dispositivi in silicio puro. La temperatura massima di giunzione è di 175 °C

Alimentatori industriali - SMPS industriali
Generazione di energia
Inverter a stringa solare
Distribuzione di energia -Accumulo di energia