IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 50 A, canale N
- Codice RS:
- 273-2931
- Codice costruttore:
- FS50R12W1T7B11BOMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 vassoio da 24 unità*
698,592 €
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Unità | Per unità | Per Vassoio* |
|---|---|---|
| 24 + | 29,108 € | 698,59 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-2931
- Codice costruttore:
- FS50R12W1T7B11BOMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 50 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Numero di transistor | 6 | |
| Dissipazione di potenza massima | 20 mW | |
| Configurazione | Emettitore comune | |
| Tipo di montaggio | Montaggio a pannello | |
| Tipo di canale | N | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 50 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Numero di transistor 6 | ||
Dissipazione di potenza massima 20 mW | ||
Configurazione Emettitore comune | ||
Tipo di montaggio Montaggio a pannello | ||
Tipo di canale N | ||
Il modulo IGBT Infineon con TRENCHSTOP IGBT7, 7 diodi controllati dall'emittente, tecnologia di contatto NTC e pressFIT.
Elevata densità di potenza
Design compatto
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