IGBT STMicroelectronics STGD4H60DF, VCE 600 V, IC 4 A Collettore singolo, TO-252, 3 Pin Superficie
- Codice RS:
- 287-7045
- Codice costruttore:
- STGD4H60DF
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 287-7045
- Codice costruttore:
- STGD4H60DF
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 4A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 600V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 75W | |
| Numero transistor | 1 | |
| Configurazione | Collettore singolo | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.7V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 2.3mm | |
| Larghezza | 6.7mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Lunghezza | 1.7mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 4A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 600V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 75W | ||
Numero transistor 1 | ||
Configurazione Collettore singolo | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.7V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 2.3mm | ||
Larghezza 6.7mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Lunghezza 1.7mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
L'interruttore di campo a trincea STMicroelectronics è un IGBT sviluppato utilizzando una struttura di interruttore di campo a trincea proprietaria avanzata. Questo dispositivo fa parte della serie H di IGBT, che rappresentano un compromesso ottimale tra la conduzione e le perdite di commutazione per massimizzare l'efficienza dei convertitori ad alta frequenza di commutazione. Inoltre, un coefficiente di temperatura leggermente positivo VCE(sat) e una distribuzione dei parametri molto stretta si traducono in un funzionamento in parallelo più sicuro.
Bassa resistenza termica
Cortocircuito nominale
Diodo antiparallelo di recupero morbido e rapido
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