IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 4 A, DPAK

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
287-7045
Codice costruttore:
STGD4H60DF
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continuativa collettore

4 A

Tensione massima collettore emitter

600 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Dissipazione di potenza massima

75 W

Numero di transistor

1

Configurazione

Collettore singolo, emettitore singolo, gate singolo

Tipo di package

DPAK

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Paese di origine:
CN
Il Trench gate field stop di STMicroelectronics è un IGBT sviluppato utilizzando un'avanzata struttura proprietaria di trench gate field stop. Questo dispositivo fa parte della serie H di IGBT, che rappresentano un compromesso ottimale tra la conduzione e le perdite di commutazione per massimizzare l'efficienza dei convertitori ad alta frequenza di commutazione. Inoltre, un coefficiente di temperatura leggermente positivo VCE(sat) e una distribuzione dei parametri molto stretta si traducono in un funzionamento in parallelo più sicuro.

Bassa resistenza termica
Cortocircuito nominale
Diodo antiparallelo morbido e a recupero rapido

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