IGBT Infineon, VCE 900 V, IC 51 A, canale N, TO247AC

I transistor bipolari a gate isolato (IGBT) di Infineon offrono all'utente una gamma completa di opzioni per un'ampia varietà di applicazioni. I valori nominali di elevata efficienza consentono di utilizzare questa gamma di IGBT in un’ampia varietà di applicazioni e di supportare varie frequenze di commutazione grazie alle perdite di commutazione ridotte.

IGBT in pacchetto combinato con ripristino software ultraveloce e diodo anti-parallelo per l’uso in configurazioni a ponte

Transistor IGBT, International Rectifier

International Rectifier offre un'ampia gamma di IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) che vanno da 300 V a 1200 V sulla base di varie tecnologie che riducono al minimo le perdite di conduzione e commutazione per aumentare l'efficienza, ridurre i problemi termici e migliorare la densità di potenza. Inoltre, l'azienda offre una vasta gamma di stampi IGBT progettati specificamente per i moduli di potenza medio-alta. Per i moduli che richiedono la massima affidabilità, possono essere impiegati stampi SFM (Solderable Front Metal) per eliminare i cavi e consentire il raffreddamento su due lati, al fine di migliorare le prestazioni termiche, l'affidabilità e l'efficienza.