IGBT STMicroelectronics, VCE 375 V, IC 10 A, canale Tipo N, TO-263, 3 Pin Superficie
- Codice RS:
- 686-8341P
- Codice costruttore:
- STGB10NB37LZT4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 686-8341P
- Codice costruttore:
- STGB10NB37LZT4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 10A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 375V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 125W | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di commutazione | 8μs | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.8V | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 12 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 4.6mm | |
| Lunghezza | 28.9mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 10A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 375V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 125W | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di commutazione 8μs | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.8V | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 12 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 4.6mm | ||
Lunghezza 28.9mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
ESBT discreti, ST Microelectronics
IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.