IGBT STMicroelectronics STGE200NB60S, VCE 600 V, IC 200 A, canale N, ISOTOP, 4 Pin Morsetto

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
686-8348
Codice costruttore:
STGE200NB60S
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

IGBT

Corrente massima continua collettore Ic

200A

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

600V

Dissipazione di potenza massima Pd

600W

Tipo di package

ISOTOP

Tipo montaggio

Morsetto

Tipo di canale

N

Numero pin

4

Tensione emettitore gate massima VGEO

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

12.2mm

Lunghezza

38.2mm

Larghezza

31.7mm

Serie

Powermesh

Standard/Approvazioni

ECOPACK, JESD97

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

ESBT discreti, ST Microelectronics


IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

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