IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 200 A, canale N, ISOTOP

Visualizza IGBT
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

25,12 €

(IVA esclusa)

30,65 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 10 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
  • Più 581 unità in spedizione dal 14 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 125,12 €
2 +23,86 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
686-8348
Codice costruttore:
STGE200NB60S
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Corrente massima continuativa collettore

200 A

Tensione massima collettore emitter

600 V

Tensione massima gate emitter

±20V

Tipo di package

ISOTOP

Tipo di montaggio

Montaggio a pannello

Tipo di canale

N

Numero pin

4

Configurazione transistor

Singolo

Dimensioni

38.2 x 25.5 x 9.1mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Massima temperatura operativa

+150 °C

Paese di origine:
CN

ESBT discreti, ST Microelectronics



IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.

Link consigliati