IGBT STMicroelectronics STGE200NB60S, VCE 600 V, IC 200 A, canale Tipo N, ISOTOP, 4 Pin Morsetto
- Codice RS:
- 686-8348
- Codice costruttore:
- STGE200NB60S
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 686-8348
- Codice costruttore:
- STGE200NB60S
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 200A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 600V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 600W | |
| Tipo di package | ISOTOP | |
| Tipo montaggio | Morsetto | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 4 | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.6V | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 12.2mm | |
| Lunghezza | 38.2mm | |
| Standard/Approvazioni | ECOPACK, JESD97 | |
| Serie | Powermesh | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 200A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 600V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 600W | ||
Tipo di package ISOTOP | ||
Tipo montaggio Morsetto | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 4 | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.6V | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 12.2mm | ||
Lunghezza 38.2mm | ||
Standard/Approvazioni ECOPACK, JESD97 | ||
Serie Powermesh | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
ESBT discreti, ST Microelectronics
IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.