Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 320 A, canale Tipo N, Modulo 62MM, 3 Pin Morsetto
- Codice RS:
- 761-3754
- Codice costruttore:
- FF200R12KT4HOSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 761-3754
- Codice costruttore:
- FF200R12KT4HOSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Modulo IGBT | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 320A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1200V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1100W | |
| Tipo di package | Modulo 62MM | |
| Tipo montaggio | Morsetto | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | 20 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.15V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 106.4mm | |
| Standard/Approvazioni | EN 61140 | |
| Serie | 62mmC | |
| Larghezza | 61.4 mm | |
| Altezza | 30.9mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Modulo IGBT | ||
Corrente massima continua collettore Ic 320A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1200V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1100W | ||
Tipo di package Modulo 62MM | ||
Tipo montaggio Morsetto | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO 20 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.15V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 106.4mm | ||
Standard/Approvazioni EN 61140 | ||
Serie 62mmC | ||
Larghezza 61.4 mm | ||
Altezza 30.9mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Moduli IGBT, Infineon
La gamma di moduli IGBT Infineon offre una bassa perdita di commutazione per commutare frequenze fino a 60 kHz.
Gli IGBT si estendono su una gamma di moduli di alimentazione come i contenitori ECONOPACK con tensione del collettore emettitore a 1200 V, moduli chopper half-bridge IGBT PrimePACK con NTC fino a 1600/1700 V. Gli IGBT PrimePACK possono essere trovati nelle applicazioni industriali, commerciali e di costruzioni e veicoli agricoli. I moduli IGBT a canale N TRENCHSTOP TM e Fieldstop sono adatti ad applicazioni di commutazione hard e soft, quali inverter, UPS e unità industriali.
Tipi di contenitore includono: moduli da 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
IGBT discreti e moduli, Infineon
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.