IGBT STMicroelectronics STGW80H65DFB, VCE 650 V, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 792-5814P
- Codice costruttore:
- STGW80H65DFB
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 5 - 9 | 5,15 € |
| 10 - 24 | 4,64 € |
| 25 - 49 | 4,37 € |
| 50 + | 4,32 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 792-5814P
- Codice costruttore:
- STGW80H65DFB
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 650V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 469W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Serie | H | |
| Altezza | 20.15mm | |
| Standard/Approvazioni | Lead (Pb) Free package, ECOPACK | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 650V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 469W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Serie H | ||
Altezza 20.15mm | ||
Standard/Approvazioni Lead (Pb) Free package, ECOPACK | ||
Standard automobilistico No | ||
ESBT discreti, ST Microelectronics
IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.