IGBT STMicroelectronics, VCE 1200 V, IC 6 A, canale N, TO-220FP
- Codice RS:
- 795-9094P
- Codice costruttore:
- STGF3NC120HD
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 25 - 45 | 2,04 € |
| 50 - 120 | 1,838 € |
| 125 - 245 | 1,654 € |
| 250 + | 1,572 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 795-9094P
- Codice costruttore:
- STGF3NC120HD
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Corrente massima continuativa collettore | 6 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 25 W | |
| Tipo di package | TO-220FP | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di switching | 1MHz | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Dimensioni | 10.4 x 4.6 x 16.4mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
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|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Corrente massima continuativa collettore 6 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Dissipazione di potenza massima 25 W | ||
Tipo di package TO-220FP | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di switching 1MHz | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Dimensioni 10.4 x 4.6 x 16.4mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
ESBT discreti, ST Microelectronics
IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.