IGBT discreto Toshiba, VCE 600 V, IC 50 A, canale N, TO-3P, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 796-5064P
- Codice costruttore:
- GT50JR22
- Costruttore:
- Toshiba
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- Codice RS:
- 796-5064P
- Codice costruttore:
- GT50JR22
- Costruttore:
- Toshiba
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Toshiba | |
| Tipo prodotto | IGBT discreto | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 50A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 600V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 230W | |
| Tipo di package | TO-3P | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di commutazione | 1MHz | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±25 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Serie | 6.5th generation | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Toshiba | ||
Tipo prodotto IGBT discreto | ||
Corrente massima continua collettore Ic 50A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 600V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 230W | ||
Tipo di package TO-3P | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di commutazione 1MHz | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±25 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Serie 6.5th generation | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
IGBT Discreti, Toshiba
IGBT discreti e moduli, Toshiba
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.