IGBT di accensione onsemi, VCE 400 V, IC 41 A, canale Tipo N, TO-252, 3 Pin Superficie
- Codice RS:
- 807-0767P
- Codice costruttore:
- FGD3040G2-F085
- Costruttore:
- onsemi
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|---|---|
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- Codice RS:
- 807-0767P
- Codice costruttore:
- FGD3040G2-F085
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 41A | |
| Tipo prodotto | IGBT di accensione | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 400V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 150W | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di commutazione | 1MHz | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±10 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.5V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Serie | EcoSPARK2 | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Classificazione energetica | 300mJ | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Corrente massima continua collettore Ic 41A | ||
Tipo prodotto IGBT di accensione | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 400V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 150W | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di commutazione 1MHz | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±10 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.5V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Serie EcoSPARK2 | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Classificazione energetica 300mJ | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
IGBT di accensione per uso automobilistico, Fairchild Semiconductor
Questi dispositivi IGBT EcoSPARK sono ottimizzati per l'azionamento di bobine di accensione per uso automobilistico. Sono stati testati in presenza di sollecitazioni e soddisfano lo standard AEC-Q101.
Caratteristiche
• Stadio pilota livello logico
• Protezione ESD
• Applicazioni: circuiti driver di bobine di accensione per uso automobilistico, applicazioni Coil-on-Plug
Codici dei prodotti RS
864-8802 FGB3040CS 400 V 20 A D2PAK;
864-8805 FGB3040G2_F085 400 V 25 A DPAK-2;
807-0767 FGD3040G2_F085 400 V 25 A DPAK;
864-8880 FGI3040G2_F085 400 V 25 A I2PAK;
864-8899 FGP3040G2_F085 400 V 25 A TO220;
864-8809 FGB3245G2_F085 450 V 23 A D2PAK-2;
864-8827 FGD3245G2_F085 450 V 23 A DPAK;
807-0776 FGD3440G2_F085 400 V 25 A DPAK;
864-8818 FGB3440G2_F085 400 V 25 A D2PAK-2;
864-8893 FGP3440G2_F085 400 V 25 A TO220;
807-8751 ISL9V5036P3_F085 360V 31 A TO220;
862-9369 ISL9V5045S3ST_F085 450 V 43 A D2PAK
Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.
Note
I valori di corrente nominale indicati si applicano con temperatura della giunzione Tc = +110 °C.
Standards
AEC-Q101