IGBT Infineon IGW25N120H3FKSA1, VCE 1200 V, IC 25 A, canale Tipo N, TO-247, 3 Pin Foro passante
- Codice RS:
- 826-8232
- Codice costruttore:
- IGW25N120H3FKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 826-8232
- Codice costruttore:
- IGW25N120H3FKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 25A | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 1200V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 326W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Velocità di commutazione | 1MHz | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 2.05V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Serie | TrenchStop | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC, RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continua collettore Ic 25A | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 1200V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 326W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Velocità di commutazione 1MHz | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 2.05V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Serie TrenchStop | ||
Standard/Approvazioni JEDEC, RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V
Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia TrenchStop™. La gamma comprende dispositivi con un diodo integrato anti-parallelo ad alta velocità, a recupero rapido.
• Gamma di tensione del collettore-emettitore: da 1100 a 1600 V
• VCEsat molto bassa
• Poche perdite di spegnimento
• Bassa corrente di coda
• EMI ridotte
• Temperatura di giunzione massima: 175 °C
IGBT discreti e moduli, Infineon
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.