Modulo IGBT Infineon FS75R12KT4B15BOSA1, VCE 1200 V, IC 75 A Ponte trifase, canale Tipo N, ECONO2, 28 Pin Montaggio su

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Codice RS:
838-6860
Codice costruttore:
FS75R12KT4B15BOSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Corrente massima continua collettore Ic

75A

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Tensione massima emettitore del collettore Vceo

1200V

Tipo di package

ECONO2

Configurazione

Ponte trifase

Tipo montaggio

Montaggio su circuito stampato

Tipo di canale

Tipo N

Numero pin

28

Tensione emettitore gate massima VGEO

20 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

17mm

Lunghezza

107.5mm

Larghezza

45mm

Moduli IGBT, Infineon


Infineon

TM

TMTMTM

IGBT Discrete & Moduli, Infineon


Il transistor bipolare a gate isolato o IGBT è un dispositivo a semiconduttore di potenza a tre terminali, noto per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici caratteristiche di gate-drive dei MOSFET con la capacità di alta corrente e bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari combinando un gate FET isolato per l'ingresso di controllo e un transistor di potenza bipolare come interruttore, in un unico dispositivo.

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