IGBT onsemi ISL9V2040D3ST, VCE 430 V, IC 10 A, canale N, TO-252, 3 Pin Superficie
- Codice RS:
- 862-9347P
- Codice costruttore:
- ISL9V2040D3ST
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 5 + | 0,65 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 862-9347P
- Codice costruttore:
- ISL9V2040D3ST
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 10A | |
| Tipo prodotto | IGBT | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 430V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 130W | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di canale | N | |
| Numero pin | 3 | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±10 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.9V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Serie | EcoSPARK | |
| Standard automobilistico | No | |
| Classificazione energetica | 200mJ | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Corrente massima continua collettore Ic 10A | ||
Tipo prodotto IGBT | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 430V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 130W | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di canale N | ||
Numero pin 3 | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±10 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.9V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Serie EcoSPARK | ||
Standard automobilistico No | ||
Classificazione energetica 200mJ | ||
IGBT discreti, Fairchild Semiconductor
Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.