IGBT ON Semiconductor, VCE 1300 V, IC 60 A, canale N, TO-247

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Codice RS:
864-8849
Codice costruttore:
FGH30S130P
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Corrente massima continuativa collettore

60 A

Tensione massima collettore emitter

1300 V

Tensione massima gate emitter

±25V

Dissipazione di potenza massima

500 W

Tipo di package

TO-247

Tipo di montaggio

Su foro

Tipo di canale

N

Numero pin

3

Configurazione transistor

Singolo

Dimensioni

15.87 x 4.82 x 20.82mm

Massima temperatura operativa

+175 °C

Minima temperatura operativa

-55 °C

IGBT discreti, 1000 V e oltre, Fairchild Semiconductor


On Semiconductor FGH30S130P è un IGBT da 1300V, 30A con tecnologie di corto-anodo e trincea di arresto sul campo. Le applicazioni di commutazione soft sono ideali per il modello FGH30S130P, con conduzione efficiente e elevate prestazioni di commutazione. L'IGBT FGH30S130P può funzionare in configurazione parallela e offre ottime capacità di valanghe.
L'IGBT FGH30S130P è progettato per l'uso nel riscaldamento ad induzione, nei forni a microonde e in altri elettrodomestici.

• Pacchetto TO-247
• Commutazione ad alta velocità
• Conduzione superiore
• Bassa tensione di saturazione
• Elevata impedenza di ingresso

Versioni disponibili:
864-8849 - confezione da 2
166-3300 - tubo da 30


Discreti e moduli IGBT, Fairchild Semiconductor


Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.