IGBT arresto di campo gate di trincea STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 10 A, canale Tipo N, TO-252, 3 Pin Superficie
- Codice RS:
- 906-2798P
- Codice costruttore:
- STGD5H60DF
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 90 | 0,745 € |
| 100 - 240 | 0,671 € |
| 250 - 490 | 0,605 € |
| 500 + | 0,575 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 906-2798P
- Codice costruttore:
- STGD5H60DF
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | IGBT arresto di campo gate di trincea | |
| Corrente massima continua collettore Ic | 10A | |
| Tensione massima emettitore del collettore Vceo | 600V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 88W | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Numero pin | 3 | |
| Tensione emettitore gate massima VGEO | ±20 V | |
| Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT | 1.95V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 6.6mm | |
| Altezza | 2.4mm | |
| Serie | H | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Classificazione energetica | 221mJ | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto IGBT arresto di campo gate di trincea | ||
Corrente massima continua collettore Ic 10A | ||
Tensione massima emettitore del collettore Vceo 600V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 88W | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Numero pin 3 | ||
Tensione emettitore gate massima VGEO ±20 V | ||
Tensione massima di saturazione emettitore del collettore VceSAT 1.95V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 6.6mm | ||
Altezza 2.4mm | ||
Serie H | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Classificazione energetica 221mJ | ||
- Paese di origine:
- CN
ESBT discreti, ST Microelectronics
IGBT discreti e moduli, STMicroelectronics
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.