IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A, TO-247
- Codice RS:
- 911-4785
- Codice costruttore:
- IGW40T120FKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 911-4785
- Codice costruttore:
- IGW40T120FKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Corrente massima continuativa collettore | 75 A | |
| Tensione massima collettore emitter | 1200 V | |
| Tensione massima gate emitter | ±20V | |
| Dissipazione di potenza massima | 270 W | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Numero pin | 3 | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Dimensioni | 16.13 x 21.1 x 5.21mm | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Corrente massima continuativa collettore 75 A | ||
Tensione massima collettore emitter 1200 V | ||
Tensione massima gate emitter ±20V | ||
Dissipazione di potenza massima 270 W | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Numero pin 3 | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Dimensioni 16.13 x 21.1 x 5.21mm | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
- Paese di origine:
- DE
Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V
Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia TrenchStop™. La gamma comprende dispositivi con un diodo integrato anti-parallelo ad alta velocità, a recupero rapido.
• Gamma di tensione del collettore-emettitore: da 1100 a 1600 V
• VCEsat molto bassa
• Poche perdite di spegnimento
• Bassa corrente di coda
• EMI ridotte
• Temperatura di giunzione massima: 175 °C
• VCEsat molto bassa
• Poche perdite di spegnimento
• Bassa corrente di coda
• EMI ridotte
• Temperatura di giunzione massima: 175 °C
IGBT discreti e moduli, Infineon
Gli Insulated Gate Bipolar Transistor o IGBT sono dispositivi a semiconduttore a tre potenze terminali, apprezzati per l'elevata efficienza e la commutazione rapida. L'IGBT combina le semplici proprietà del comando di gate dei MOSFET con la capacità a corrente elevata e la bassa tensione di saturazione dei transistor bipolari, combinando in un unico dispositivo un gate FET isolato per l'ingresso di comando ed un transistor di potenza bipolare come uno switch.