Induttore a montaggio superficiale Vishay IHLP, 470 nH Sì, 4.81 A, case 1212, nucleo Composito metallico ±20 % Schermato
- Codice RS:
- 248-8098
- Codice costruttore:
- IHLP1212AZEVR47MA1
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 248-8098
- Codice costruttore:
- IHLP1212AZEVR47MA1
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | Induttore a montaggio superficiale | |
| Induttanza | 470nH | |
| Corrente CC massima | 4.81A | |
| Contenitore | 1212 | |
| Lunghezza | 3.56mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q200 | |
| Schermatura | Sì | |
| Resistenza in CC massima | 37.97mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Serie | IHLP | |
| Tolleranza di induttanza | ±20 % | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Profondità | 1mm | |
| Materiale nucleo | Composito metallico | |
| Altezza | 1mm | |
| Frequenza massima di auto-risonanza | 140MHz | |
| Struttura dell'induttore | Schermato | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto Induttore a montaggio superficiale | ||
Induttanza 470nH | ||
Corrente CC massima 4.81A | ||
Contenitore 1212 | ||
Lunghezza 3.56mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q200 | ||
Schermatura Sì | ||
Resistenza in CC massima 37.97mΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Serie IHLP | ||
Tolleranza di induttanza ±20 % | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Profondità 1mm | ||
Materiale nucleo Composito metallico | ||
Altezza 1mm | ||
Frequenza massima di auto-risonanza 140MHz | ||
Struttura dell'induttore Schermato | ||
- Paese di origine:
- CN
La serie IHLP-1212AZ-A1 Vishay gestisce picchi di corrente transitoria elevati senza saturazione e ha un rumore di rumore estremamente basso grazie alla sua struttura composita. È dotato di una struttura schermata e la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e +125 °C.
Eccellente immagazzinamento di energia c.c.-c.c. fino a 5 MHz
Resistenza c.c. più bassa