Induttore a montaggio superficiale Vishay IHLP, 2.2 μH Sì, 4.01 A, case 1212, nucleo Composito metallico ±20 % Schermato
- Codice RS:
- 248-8110
- Codice costruttore:
- IHLP1212BZEV2R2M5A
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*
1660,00 €
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2024,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,415 € | 1.660,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 248-8110
- Codice costruttore:
- IHLP1212BZEV2R2M5A
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Induttanza | 2.2μH | |
| Tipo prodotto | Induttore a montaggio superficiale | |
| Corrente CC massima | 4.01A | |
| Contenitore | 1212 | |
| Lunghezza | 3.56mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q200 | |
| Schermatura | Sì | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Resistenza in CC massima | 63.05mΩ | |
| Tolleranza di induttanza | ±20 % | |
| Temperatura massima di funzionamento | 155°C | |
| Serie | IHLP | |
| Altezza | 2mm | |
| Profondità | 2mm | |
| Materiale nucleo | Composito metallico | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Frequenza massima di auto-risonanza | 42MHz | |
| Struttura dell'induttore | Schermato | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Induttanza 2.2μH | ||
Tipo prodotto Induttore a montaggio superficiale | ||
Corrente CC massima 4.01A | ||
Contenitore 1212 | ||
Lunghezza 3.56mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q200 | ||
Schermatura Sì | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Resistenza in CC massima 63.05mΩ | ||
Tolleranza di induttanza ±20 % | ||
Temperatura massima di funzionamento 155°C | ||
Serie IHLP | ||
Altezza 2mm | ||
Profondità 2mm | ||
Materiale nucleo Composito metallico | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Frequenza massima di auto-risonanza 42MHz | ||
Struttura dell'induttore Schermato | ||
- Paese di origine:
- CN
La serie IHLP-1212BZ-5A di Vishay gestisce picchi di corrente transitoria elevati senza saturazione e ha un rumore buzz ultrabasso grazie alla sua struttura composita. È dotato di una struttura schermata e la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e +155 °C.
Eccellente immagazzinamento di energia c.c.-c.c. fino a 5 MHz
Resistenza c.c. più bassa