JFET MMBF4391LT1G onsemi, canale N, Single, SOT-23, 3 Pin Singolo
- Codice RS:
- 625-5723P
- Codice costruttore:
- MMBF4391LT1G
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 95 | 0,384 € |
| 100 - 495 | 0,334 € |
| 500 - 995 | 0,292 € |
| 1000 + | 0,266 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 625-5723P
- Codice costruttore:
- MMBF4391LT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente di interruzione sorgente-drenaggio idss | 50 to 150mA | |
| Tensione massima drain source | 30 V | |
| Tensione massima gate source | +30 V | |
| Tensione massima drain gate | 30V | |
| Configurazione | Single | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Resistenza massima drain source | 30 Ω | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Numero pin | 3 | |
| Dimensioni | 2.9 x 1.3 x 0.94mm | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Lunghezza | 2.9mm | |
| Larghezza | 1.3mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Altezza | 0.94mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente di interruzione sorgente-drenaggio idss 50 to 150mA | ||
Tensione massima drain source 30 V | ||
Tensione massima gate source +30 V | ||
Tensione massima drain gate 30V | ||
Configurazione Single | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Resistenza massima drain source 30 Ω | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Numero pin 3 | ||
Dimensioni 2.9 x 1.3 x 0.94mm | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Lunghezza 2.9mm | ||
Larghezza 1.3mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Altezza 0.94mm | ||
JFET a canale N, ON Semiconductor
Transistor JFET
Una gamma di dispositivi semiconduttori discreti JFET (transistor a effetto di campo di giunzione) e HEMT/HFET (transistor a elevata mobilità di elettroni/FET a eterogiunzione).