JFET onsemi, canale N, canale JFET 30 V 0.3 → 1.5 mA, Singolo, SOT-23, 3 Pin
- Codice RS:
- 761-3688P
- Codice costruttore:
- MMBFJ201
- Costruttore:
- onsemi
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 761-3688P
- Codice costruttore:
- MMBFJ201
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | JFET | |
| Sottotipo | JFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Configurazione | Singolo | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Corrente drain-source Ids | 0.3 → 1.5 mA | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Numero pin | 3 | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 225mW | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -40V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 2.92mm | |
| Altezza | 930μm | |
| Larghezza | 1.3mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto JFET | ||
Sottotipo JFET | ||
Tipo di canale N | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Configurazione Singolo | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Corrente drain-source Ids 0.3 → 1.5 mA | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Numero pin 3 | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 225mW | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -40V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 2.92mm | ||
Altezza 930μm | ||
Larghezza 1.3mm | ||
Standard automobilistico No | ||
On Semiconductor MMBFJ201 è un amplificatore a canale N progettato per applicazioni audio e generiche di basso livello.
MMBFJ201 è disponibile in un package SOT-23 a 3 pin.
Versioni disponibili:
761-3688 - confezione da 25
166-1840 - bobina di 3000
JFET a canale N, Fairchild Semiconductor
Transistor JFET
Una gamma di dispositivi semiconduttori discreti JFET (transistor a effetto di campo di giunzione) e HEMT/HFET (transistor a elevata mobilità di elettroni/FET a eterogiunzione).