JFET MMBFJ177LT1G onsemi, canale Tipo P, canale JFET -25 V dc 1.5 to 20 mA, Singolo, SOT-23, 3 Pin
- Codice RS:
- 773-7816P
- Codice costruttore:
- MMBFJ177LT1G
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità |
|---|---|
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- Codice RS:
- 773-7816P
- Codice costruttore:
- MMBFJ177LT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | JFET | |
| Sottotipo | JFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -25V | |
| Configurazione | Singolo | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 225mW | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25 V | |
| Numero pin | 3 | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 300Ω | |
| Corrente drain-source Ids | 1.5 to 20 mA | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.01mm | |
| Larghezza | 1.4 mm | |
| Lunghezza | 3.04mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto JFET | ||
Sottotipo JFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -25V | ||
Configurazione Singolo | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 225mW | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25 V | ||
Numero pin 3 | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 300Ω | ||
Corrente drain-source Ids 1.5 to 20 mA | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.01mm | ||
Larghezza 1.4 mm | ||
Lunghezza 3.04mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
JFET a canale P, ON Semiconductor
Transistor JFET
Una gamma di dispositivi semiconduttori discreti JFET (transistor a effetto di campo di giunzione) e HEMT/HFET (transistor a elevata mobilità di elettroni/FET a eterogiunzione).
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