JFET 2SK932-23-TB-E onsemi, canale N, Single, CP, 3 Pin Singolo
- Codice RS:
- 792-5173P
- Codice costruttore:
- 2SK932-23-TB-E
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 100 - 225 | 0,317 € |
| 250 - 475 | 0,275 € |
| 500 - 975 | 0,242 € |
| 1000 + | 0,22 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 792-5173P
- Codice costruttore:
- 2SK932-23-TB-E
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente di interruzione sorgente-drenaggio idss | 10 to 17mA | |
| Tensione massima drain source | 15 V | |
| Tensione massima drain gate | -15V | |
| Configurazione | Single | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Tipo di package | CP | |
| Numero pin | 3 | |
| Capacità Drain Gate | 10pF | |
| Capacità source gate on | 3pF | |
| Dimensioni | 2.9 x 1.5 x 1.1mm | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Larghezza | 1.5mm | |
| Lunghezza | 2.9mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente di interruzione sorgente-drenaggio idss 10 to 17mA | ||
Tensione massima drain source 15 V | ||
Tensione massima drain gate -15V | ||
Configurazione Single | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Tipo di package CP | ||
Numero pin 3 | ||
Capacità Drain Gate 10pF | ||
Capacità source gate on 3pF | ||
Dimensioni 2.9 x 1.5 x 1.1mm | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Altezza 1.1mm | ||
Larghezza 1.5mm | ||
Lunghezza 2.9mm | ||
- Paese di origine:
- CN
JFET a canale N, ON Semiconductor
Transistor JFET
Una gamma di dispositivi semiconduttori discreti JFET (transistor a effetto di campo di giunzione) e HEMT/HFET (transistor a elevata mobilità di elettroni/FET a eterogiunzione).
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