Memoria Flash Microchip, 4Mbit, PDIP, 32 Pin, Parallelo
- Codice RS:
- 352-119
- Codice costruttore:
- SST39SF040-70-4C-PHE
- Costruttore:
- Microchip
Prezzo per 1 unità*
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- Codice RS:
- 352-119
- Codice costruttore:
- SST39SF040-70-4C-PHE
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Dimensioni memoria | 4Mbit | |
| Interfacce | Parallelo | |
| Tipo di package | PDIP | |
| Numero pin | 32 | |
| Organizzazione | 4M x 8 | |
| Tipo di cella | Split gate | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Dimensioni memoria 4Mbit | ||
Interfacce Parallelo | ||
Tipo di package PDIP | ||
Numero pin 32 | ||
Organizzazione 4M x 8 | ||
Tipo di cella Split gate | ||
La flash multiuso (MPF) CMOS di Microchip è prodotta con la tecnologia proprietaria CMOS Super Flash ad alte prestazioni di SST. Il design della cella split-gate e l'iniettore a tunnel di ossido spesso raggiungono una migliore affidabilità e producibilità rispetto ad approcci alternativi. L'SST39SF040 scrive (programma o cancella) con un'alimentazione da 4,5 a 5,5 V ed è conforme alla piedinatura standard JEDEC per le memorie x8.
Affidabilità superiore con una resistenza tipica di 100.000 cicli
Oltre 100 anni di conservazione dei dati
Basso consumo energetico a 14 MHz
Corrente attiva 10 mA tipica
Corrente di standby 30 μA tipica
Capacità di cancellazione dei settori con settori uniformi da 4 Kbyte
Tempo di accesso in lettura veloce 55 ns e 70 ns
Indirizzo e dati latched
Temporizzazione automatica della scrittura con generazione interna di VPP
Oltre 100 anni di conservazione dei dati
Basso consumo energetico a 14 MHz
Corrente attiva 10 mA tipica
Corrente di standby 30 μA tipica
Capacità di cancellazione dei settori con settori uniformi da 4 Kbyte
Tempo di accesso in lettura veloce 55 ns e 70 ns
Indirizzo e dati latched
Temporizzazione automatica della scrittura con generazione interna di VPP
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